Радиокартинки
http://radiopicture.listbb.ru/

Реверс-инжиниринг
http://radiopicture.listbb.ru/viewtopic.php?f=3&t=107		 Страница 1 из 15
Автор:  dim3408 [ 01 дек 2017, 18:57 ]
Заголовок сообщения:  Реверс-инжиниринг
Тема открыта для обсуждения топологии и конструктивных особенностей элементов микросхем. Если есть знающие, пишите и критикуйте.
Автор:  dim3408 [ 01 дек 2017, 19:05 ]
Заголовок сообщения:  Re: Реверсинжиниринг
Начну с 155 серии. Это серия советских микросхем, производимая в 70х годах по ТТЛ технологии (транзисторно-транзисторная логика) с изолирующим p-n переходом.
Автор:  dim3408 [ 01 дек 2017, 19:23 ]
Заголовок сообщения:  Реверсинжиниринг
Собственно транзистор найти не сложно. Это элемент, от которого отходит 3 контакта (не всегда). Конструкция маломощного транзистора:
Изображение
Изолирующий слой нужен для улучшения характеристик транзистора и изоляции его от соседних элементов.
С металлизацией:
Изображение

Без металлизации:

Изображение

Транзистор средней мощности:
Изображение

Изображение

Изображение

И повышенной мощности:
Изображение
Автор:  dim3408 [ 01 дек 2017, 21:02 ]
Заголовок сообщения:  Реверсинжиниринг
Конструкция диодов:
Изображение


Изображение
Автор:  dim3408 [ 01 дек 2017, 21:15 ]
Заголовок сообщения:  Реверсинжиниринг
Резисторы изготавливаются на основе диффузионных слоёв либо p-cтруктуры либо n-структуры.
Изображение

Их можно спутать с так называемыми диффузионными перемычками. Когда металлическая разводка встречается друг с другом в перпендикулярных направлениях делают "подкоп" из диффузионного слоя с малым сопротивлением. Всё же это нежелательный элемент из-за паразитного сопротивления.
Изображение
Автор:  dim3408 [ 01 дек 2017, 21:50 ]
Заголовок сообщения:  Реверсинжиниринг
Нередко встречаются многоэмиттерные транзисторы (до 8 эмиттеров):
Изображение

Особенностью конструкции таких транзисторов является необходимость симметрии эмиттеров относительно базового электрода. Однако не всегда получается соблюсти это условие и тогда применяют симметрирующую металлизацию. На схему в общем она не влияет, поэтому её можно игнорировать:
Изображение

Для экономии площади на кристалле применяются составные транзисторы. Один из вариантов исполнения:
Изображение
Автор:  dim3408 [ 01 дек 2017, 23:29 ]
Заголовок сообщения:  Реверсинжиниринг
Собственно этого уже достаточно, чтобы восстановить, например, схему К155ЛА3. Это 4 элемента И-НЕ.

http://ipic.su/img/img7/fs/Bezymyannyj-1.1512160402.jpg
Изображение

Изображение

Здесь VT3, VT4, VD3, R3 являются силовой цепью усилителя мощности, VD1, VD2 демпфирующие диоды, ограничивающие помехи.
Автор:  dim3408 [ 02 дек 2017, 00:38 ]
Заголовок сообщения:  Реверсинжиниринг
Изображение

Принцип работы вентиля такой:
Если входы A и B заперты (логическая единица), то ток через коллектор транзистора VT1 открывает тр-ры VT2 и VT4. На выходе Q появляется логический ноль (т.к. появился доступ к земле через тр-р VT4).

Изображение

Если хотябы на одном из входов тр-ра VT1 появится "0", то напряжения не хватит открыть тр-р VT2 и ток потечёт через тр-р VT3. На выходе Q появится "1".

Изображение
Автор:  dim3408 [ 02 дек 2017, 01:43 ]
Заголовок сообщения:  Re: Реверсинжиниринг
КМ155ЛЕ1 (4 элемента ИЛИ-НЕ)

http://ipic.su/img/img7/fs/ILI-NE.1512167992.jpg
Изображение

Изображение
Изображение
Изображение
Изображение

Почти во всех случаях, где есть элемент ИЛИ используется составной тр-р с общим коллекторм:

Изображение

Изображение
Автор:  dim3408 [ 02 дек 2017, 14:25 ]
Заголовок сообщения:  Re: Реверс-инжиниринг
КМ155ЛИ1 (4 элемента И)

http://ipic.su/img/img7/fs/K155LI12I.1512213738.jpg
Изображение

Изображение

Изображение
Страница 1 из 15 Часовой пояс: UTC + 3 часа
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
http://www.phpbb.com/