Радиокартинки

Текущее время: 24 сен 2018, 23:05

Часовой пояс: UTC + 3 часа




Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 103 ]  На страницу 1, 2, 3, 4, 5 ... 11  След.
Автор Сообщение
 Заголовок сообщения: Реверс-инжиниринг
СообщениеДобавлено: 01 дек 2017, 18:57 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
Тема открыта для обсуждения топологии и конструктивных особенностей элементов микросхем. Если есть знающие, пишите и критикуйте.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Реверсинжиниринг
СообщениеДобавлено: 01 дек 2017, 19:05 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
Начну с 155 серии. Это серия советских микросхем, производимая в 70х годах по ТТЛ технологии (транзисторно-транзисторная логика) с изолирующим p-n переходом.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Реверсинжиниринг
СообщениеДобавлено: 01 дек 2017, 19:23 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
Собственно транзистор найти не сложно. Это элемент, от которого отходит 3 контакта (не всегда). Конструкция маломощного транзистора:
Изображение
Изолирующий слой нужен для улучшения характеристик транзистора и изоляции его от соседних элементов.
С металлизацией:
Изображение

Без металлизации:

Изображение

Транзистор средней мощности:
Изображение

Изображение

Изображение

И повышенной мощности:
Изображение


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Реверсинжиниринг
СообщениеДобавлено: 01 дек 2017, 21:02 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
Конструкция диодов:
Изображение


Изображение


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Реверсинжиниринг
СообщениеДобавлено: 01 дек 2017, 21:15 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
Резисторы изготавливаются на основе диффузионных слоёв либо p-cтруктуры либо n-структуры.
Изображение

Их можно спутать с так называемыми диффузионными перемычками. Когда металлическая разводка встречается друг с другом в перпендикулярных направлениях делают "подкоп" из диффузионного слоя с малым сопротивлением. Всё же это нежелательный элемент из-за паразитного сопротивления.
Изображение


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Реверсинжиниринг
СообщениеДобавлено: 01 дек 2017, 21:50 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
Нередко встречаются многоэмиттерные транзисторы (до 8 эмиттеров):
Изображение

Особенностью конструкции таких транзисторов является необходимость симметрии эмиттеров относительно базового электрода. Однако не всегда получается соблюсти это условие и тогда применяют симметрирующую металлизацию. На схему в общем она не влияет, поэтому её можно игнорировать:
Изображение

Для экономии площади на кристалле применяются составные транзисторы. Один из вариантов исполнения:
Изображение


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Реверсинжиниринг
СообщениеДобавлено: 01 дек 2017, 23:29 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
Собственно этого уже достаточно, чтобы восстановить, например, схему К155ЛА3. Это 4 элемента И-НЕ.

http://ipic.su/img/img7/fs/Bezymyannyj-1.1512160402.jpg
Изображение

Изображение

Здесь VT3, VT4, VD3, R3 являются силовой цепью усилителя мощности, VD1, VD2 демпфирующие диоды, ограничивающие помехи.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Реверсинжиниринг
СообщениеДобавлено: 02 дек 2017, 00:38 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
Изображение

Принцип работы вентиля такой:
Если входы A и B заперты (логическая единица), то ток через коллектор транзистора VT1 открывает тр-ры VT2 и VT4. На выходе Q появляется логический ноль (т.к. появился доступ к земле через тр-р VT4).

Изображение

Если хотябы на одном из входов тр-ра VT1 появится "0", то напряжения не хватит открыть тр-р VT2 и ток потечёт через тр-р VT3. На выходе Q появится "1".

Изображение


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Реверсинжиниринг
СообщениеДобавлено: 02 дек 2017, 01:43 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
КМ155ЛЕ1 (4 элемента ИЛИ-НЕ)

http://ipic.su/img/img7/fs/ILI-NE.1512167992.jpg
Изображение

Изображение
Изображение
Изображение
Изображение

Почти во всех случаях, где есть элемент ИЛИ используется составной тр-р с общим коллекторм:

Изображение

Изображение


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Реверс-инжиниринг
СообщениеДобавлено: 02 дек 2017, 14:25 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 12 ноя 2017, 20:32
Сообщений: 76
КМ155ЛИ1 (4 элемента И)

http://ipic.su/img/img7/fs/K155LI12I.1512213738.jpg
Изображение

Изображение

Изображение


Вернуться к началу
 Профиль  
 
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 103 ]  На страницу 1, 2, 3, 4, 5 ... 11  След.

Часовой пояс: UTC + 3 часа



Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot] и гости: 1


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  
cron
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Вы можете создать форум бесплатно PHPBB3 на Getbb.Ru, Также возможно сделать готовый форум PHPBB2 на Mybb2.ru
Русская поддержка phpBB